原子層沉積設備的應用

由于沉積參數的高度可控(厚度、成分和結構)，原子層沉積技術。

原子層沉積(Atomiclayerpition，ALD)初被稱為原子層延伸(Atomiclayerpitaxy，ALE)，也被稱為原子層化學氣相沉積。沉積物包括：氧化物、氮化物、氟化物、金屬、碳化物、復合結構、硫化物、納米薄層等。

半導體領域：

晶體管格柵極電介質層（高k材料）、光電元件涂層、晶體管擴散基層和互聯基層（防止摻雜劑遷移）、反濕涂層和膜電致發光元件、集成電路互聯種子層、DRAM和MRAM介質層、嵌入式電容器介質層、電磁記錄頭涂層、金屬絕緣金屬（MIM）電容器涂層。

納米技術領域：

空心納米管、隧道勢壘層、光電池性能、納米孔尺寸控制、高寬比納米圖形、微機電系統反靜阻涂層、疏水涂層種子層、納米晶體、Znse涂層、納米結構、空心納米碗、儲硅量子點涂層、納米顆粒涂層、納米孔涂層、納米線涂層。

上述領域并不意味著原子層沉積技術的所有可能應用領域。隨著科學技術的發展，它將在不久的將來發現越來越多的應用。根據該技術的反應原理，可以沉積各種材料。沉積材料包括金屬、氧化物、碳（氮、硫、硅）化學物質、各種半導體材料和超導材料。