v  功能特點

ü  樣品尺寸4~6寸,溫度900℃-1100℃（2寸以下）

ü  本底真空1E-10Torr，配置低溫泵和分子泵

ü  10個束源爐，容量40cc，可以配置等離子增強型束源爐及電子回旋共振束源爐

ü  配備晶振、束流監控器、高能電子槍以及監控軟件

ü  PBN加熱器

ü  4軸加熱樣品臺，可旋轉、XYZ方向均可移動

ü  手動或自動LoadLock上下片系統

v  生長材料

二維材料以及拓撲材料、氧化物等，如III-V 族,II-VI 族,Si/SiGe ,金屬與金屬氧化物及GaN,AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN,CIGS，OLED 等